三菱电机开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块”
实现业内*大电流密度，有助于实现逆变器的大功率·高效率
开始发售“X系列LV100封装HVIGBT模块”
三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT※1模块”，作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内*大电流密度※2今后，计划还将使用性能超过Si（硅片）更具低损耗化与高频动作可能性的SiC※3制成LV100封装产品，以充实产品阵容，有助于实现逆变器的输出功率和效率；并且采用全新封装结构，利于并联应用，实现灵活配置，并提高系统可靠性。
本产品将在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中国上海举行）上展出。
※1High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管
※2截至2017年5月11日，根据本公司的调查
※3Silicon Carbide：碳化硅
X系列LV100封装HVIGBT模块
新产品的特点
1．实现业内*大的电流密度，有助于实现逆变器的大功率和高效率
・采用三菱电机CSTBTTM※４结构的第7代IGBT和RFC二极管※５硅片技术，作为Si模块实现了业内*大※2的电流密度，高达8.57A/cm2＜3.3kV/600A＞
・AC输出主端子增加至3个，分散输出电流，缓解主端子的发热状况，实现在大电流工况下可靠运行。
※4载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※5Relaxed Field of Cathode Diode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率
2．便于并联应用，有效支持各个功率段的逆变器
・通过优化端子布局，方便并联应用，有效支持各个功率段的逆变器
3．通过全新封装结构，有助于实现逆变器系统的高度可靠性
・通过绝缘板与散热板的一体化设计，改善热循环寿命※6与功率半导体芯片的散热性，由此实现功率循环寿命※7的提高，并有助于实现高度可靠性
※6因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命
※7因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命
发售概要
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产品名
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型号
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额定电压
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额定电流
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发售日期
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X系列LV100封装
HVIGBT模块
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CM450DA-66X
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3.3kV
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450A
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自9月起
陆续提供
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CM600DA-66X
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600A
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销售目标
面向大型工业设备的功率半导体模块，主要用于铁路列车的的驱动系统、电力传输系统和大型工业机械使用的变流器。近年来，公众在节能环保等方面的意识日益增强，因此有助于逆变器实现更高功率、更高效率、更高可靠性及能支持各种逆变器的输出容量的各类产品需求强劲。
本公司此次为响应此类需求，将上市实现电流高密度化并采用全新封装结构的“X系列LV100封装HVIGBT模块”的2款新产品（3.3kV/450A・600A）。此外，预定今后还将推出使用SiC制造的LV100封装产品，以充实产品阵容。
主要规格
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封装
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型号
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额定电压
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额定电流
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绝缘耐压
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結線
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封装尺寸
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LV100
封装
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CM450DA-66X
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3.3kV
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450A
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6kV
rms
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2in1
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100×140×40mm3
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CM600DA-66X
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600A
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标准（std）
封装
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CM1200HC-66X
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3.3kV
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1200A
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6kV
rms
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1in1
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140×130×38mm3
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CM1800HC-66X
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1800A
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140×190×38mm3
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CM1500HC-90XA
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4.5kV
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1500A
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CM900HG-90X
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4.5kV
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900A
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10kV
rms
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140×130×48mm3
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CM600HG-130X
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6.5kV
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600A
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CM1800HG-66X
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3.3kV
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1800A
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140×190×48mm3
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CM1350HG-90X
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4.5kV
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1350A
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CM900HG-130X
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6.5kV
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900A
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CM1000HG-130XA
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1000A
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